日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET"SCH2080KE"。此產(chǎn)品損耗低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。

　　本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)還可減少部件個(gè)數(shù)。

　　生產(chǎn)基地在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣），從6月份開(kāi)始出售樣品，從7月份開(kāi)始陸續(xù)量產(chǎn)。

　　※根據(jù)羅姆的調(diào)查（截至2012年6月14日）

　　現(xiàn)在，在1200V級(jí)別的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開(kāi)發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電導(dǎo)致的特性劣化（導(dǎo)通電阻和正向電壓的上升／耐性劣化）和柵氧化膜故障等可靠性方面的課題較多，之前無(wú)法實(shí)現(xiàn)真正的全面導(dǎo)入。

　　此次，羅姆通過(guò)改善晶體缺陷相關(guān)工藝和元件構(gòu)造，成功地攻克了包括體二極管在內(nèi)的可靠性方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30％，實(shí)現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。

　　另外，通過(guò)獨(dú)創(chuàng)的安裝技術(shù)，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體二極管長(zhǎng)久以來(lái)的課題-降低正向電壓成為可能。

　　由此，與一般的逆變器中所使用的Si-IGBT相比，工作時(shí)的損耗降低了70％以上，實(shí)現(xiàn)了更低損耗的同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了50kHz以上的更高頻率，而且有助于外圍部件的小型化。