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不間斷電源(UPS)中IGBT的應(yīng)用

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-21     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數(shù):102
核心提示:

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合的器件。它既有功率MOSFET易于驅(qū)動,控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點,又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大,損耗小的顯著優(yōu)點

1、IGBT在UPS中的應(yīng)用情況

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合的器件。它既有功率MOSFET易于驅(qū)動,控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點,又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大,損耗小的顯著優(yōu)點。據(jù)東芝公司資料,1200V/100A的IGBT的導(dǎo)通電阻是同一耐壓規(guī)格的功率MOSFET的1/10,而開關(guān)時間是同規(guī)格GTR的1/10。由于這些優(yōu)點,IGBT廣泛應(yīng)用于不間斷電源系統(tǒng)(UPS)的設(shè)計中。這種使用IGBT的在線式UPS具有效率高,抗沖擊能力強、可靠性高的顯著優(yōu)點。

UPS主要有后備式、在線互動式和在線式三種結(jié)構(gòu)。在線式UPS以其可靠性高,輸出電壓穩(wěn)定,無中斷時間等顯著優(yōu)點,廣泛用于通信系統(tǒng)、稅務(wù)、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機關(guān)的機房中。本文以在線式為介紹對象,介紹UPS中的IGBT的應(yīng)用。

在線式UPS電源具有獨立的旁路開關(guān)、AC/DC整流器、充電器、DC/AC逆變器等系統(tǒng),工作原理是:市電正常時AC/DC整流器將交流電整流成直流電,同時對蓄電池進行充電,再經(jīng)DC/AC逆變器將直流電逆變?yōu)闃藴收也ń涣麟,市電異常時,電池對逆變器供電,在UPS發(fā)生故障時將輸出轉(zhuǎn)為旁路供電。在線式UPS輸出的電壓和頻率最為穩(wěn)定,能為用戶提供真正高質(zhì)量的正弦波電源。

①旁路開關(guān)(ACBYPASSSWITCH)

旁路開關(guān)常使用繼電器和可控硅。繼電器在中小功率的UPS中廣泛應(yīng)用。優(yōu)點是控制簡單,成本低,缺點是繼電器有轉(zhuǎn)換時間,還有就是機電器件的壽命問題?煽毓璩R娪谥写蠊β蔝PS中。優(yōu)點是控制電流大,沒有切換時間。但缺點就是控制復(fù)雜,且由于可控硅的觸發(fā)工作特性,在觸發(fā)導(dǎo)通后要在反向偏置后才能關(guān)斷,這樣就會產(chǎn)生一個最大10ms的環(huán)流電流。如果采用IGBT,則可以避免這個問題,使用IGBT有控制簡單的優(yōu)點,但成本較高。其工作原理為:當輸入為正半周時,電流流經(jīng)Q1、D2,負半周時電流流經(jīng)D1、Q2。

②整流器AC/DC

UPS整流電路分為普通橋堆整流、SCR相控整流和PFC高頻功率因數(shù)校正的整流器。傳統(tǒng)的整流器由于基頻為50HZ,濾波器的體積重量較重,隨著UPS技術(shù)的發(fā)展和各國對電源輸入功率因數(shù)要求,采用PFC功率因數(shù)校正的UPS日益普及,PFC電路工作的基頻至少20KHZ,使用的濾波器電感和濾波電容的體積重量大大減少,不必加諧波濾波器就可使輸入功率因數(shù)達到0.99,PFC電路中常用IGBT作為功率器件,應(yīng)用IGBT的PFC整流器是有效率高、功率容量大、綠色環(huán)保的優(yōu)點。

③充電器

UPS的充電器常用的有反激式、BOOST升壓式和半橋式。大電流充電器中可采用單管IGBT,用于功率控制,可以取得很高的效率和較大的充電電流。

④DC/AC逆變器

3KVA以上功率的在線式UPS幾乎全部采用IGBT作為逆變部分的功率器件,常用全橋式電路和半橋電路。

2、IGBT損壞的原因

UPS在使用過程中,經(jīng)常受到容性或感性負載的沖擊、過負荷甚至負載短路等,以及UPS的誤操作,可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT在使用時的損壞原因主要有以下幾種情況:

①過電流損壞;

IGBT有一定抗過電流能力,但必須注意防止過電流損壞。IGBT復(fù)合器件內(nèi)有一個寄生晶閘管,所以有擎住效應(yīng)。圖5為一個IGBT的等效電路,在規(guī)定的漏極電流范圍內(nèi),NPN的正偏壓不足以使NPN晶體管導(dǎo)通,當漏極電流大到一定程度時,這個正偏壓足以使NPN晶體管開通,進而使NPN和PNP晶體管處于飽和狀態(tài),于是寄生晶閘管開通,門極失去了控制作用,便發(fā)生了擎住效應(yīng)。IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)后,漏極電流過大造成了過高的功耗,最后導(dǎo)致器件的損壞。

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